Resumen

Las obleas de tipo P y tipo n se implantaron con fósforo y boro, respectivamente, para la formación de emisores y se recocieron posteriormente a 950~1050∘C durante 30~90 min para su activación. Los emisores de boro se activaron a 1000∘C o más, mientras que los de fósforo se activaron a 950∘C. Las mediciones QSSPC muestran que el Voc implícito de los emisores de boro aumenta unos 15 mV y el J01 disminuye por el recocido profundo de la unión incluso después de la activación debido a la reducción de la recombinación en el emisor. Sin embargo, para los emisores de fósforo el Voc implícito disminuye de 622 mV a 560 mV y el J01 aumenta con el recocido profundo de la unión. Esto se debe a la brusca disminución del tiempo de vida útil de la propia oblea tipo p de 178 μs a 14 μs. La simulación PC1D basada en estos resultados muestra que, para las células solares implantadas de tipo p, el aumento de la temperatura y el tiempo de recocido disminuye bruscamente la eficiencia (Δηabs=-1,3%), mientras que, para las células solares implantadas de tipo n, el recocido profundo de la unión aumenta la eficiencia y Voc, especialmente (Δηabs= 0,4%) para las células solares de emisor trasero.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:recocido profundo de uniones, células solares, tipo, emisores de fósforo, j01, voc, activación, eficiencia, emisores de boro, simulación pc1d
• Keywords:deep junction annealing, solar cells, type, phosphorus emitters, j01, voc, activation, efficiency, boron emitters, pc1d simulation