Resumen

Se sabe que los compuestos basados en telururo de bismuto son los mejores materiales termoeléctricos dentro de la región de temperatura ambiente, que presentan aplicaciones potenciales en refrigeración o generación de energía. En este trabajo, se adoptaron procesos de evaporación térmica para fabricar películas delgadas de Bi2Te3 de tipo n sobre sustratos de SiO2/Si. Se investigó la influencia del recocido térmico sobre las microestructuras y las propiedades termoeléctricas de las láminas delgadas de Bi2Te3 en el rango de temperaturas de 100-250ºC. Las estructuras cristalinas y las morfologías se caracterizaron mediante difracción de rayos X y análisis con microscopio electrónico de barrido de emisión de campo. Se midieron los coeficientes Seebeck, la conductividad eléctrica y el factor de potencia a temperatura ambiente. Los resultados experimentales mostraron que tanto el coeficiente Seebeck como el factor de potencia aumentaban a medida que se incrementaba la temperatura de recocido. Cuando la temperatura de recocido aumentó a 250°C durante 30 minutos, el coeficiente Seebeck y el factor de potencia de las películas delgadas de Bi2Te3 de tipo n fueron de -132,02 μV/K y 6,05 μW/cm-K2, respectivamente.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanomaterials
• Palabras claves:películas delgadas bi2te3, factor de potencia, coeficiente seebeck, mejores materiales termoeléctricos, análisis al microscopio electrónico, región de temperatura ambiente, procesos de evaporación térmica, temperatura, coeficientes seebeck, sustratos si
• Keywords:bi2te3 thin films, power factor, seebeck coefficient, best thermoelectric materials, electron microscope analyses, room temperature region, thermal evaporation processes, temperature, seebeck coefficients, si substrates