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El objetivo de este estudio es analizar la resistencia de la lámina de películas conductoras transparentes ultrafinas de óxido de indio y estaño (ITO) durante el tratamiento posterior al recocido. El espesor de las películas ultrafinas de ITO es de 20 nm. Se preparan sobre sustratos de vidrio B270 a temperatura ambiente mediante un sistema de pulverización catódica por magnetrón pulsado de corriente continua. Las películas ultrafinas de ITO con alta resistencia de lámina se utilizan habitualmente para aplicaciones de paneles táctiles. Al aumentar la temperatura de recocido, la estructura de la película ultrafina de ITO cambia de amorfa a policristalina. La cristalinidad de las películas ultrafinas de ITO se hace más fuerte con el aumento de la temperatura de recocido, lo que conduce además al efecto de mejora de la movilidad Hall. Un tratamiento posterior al recocido en una atmósfera puede mejorar la transmitancia óptica debido al relleno de vacantes de oxígeno, pero la resistencia de la lámina aumenta bruscamente. Sin embargo, una temperatura de recocido más alta, por encima de 250°C, provoca una disminución de la resistencia de lámina de las películas ultrafinas de ITO, porque más iones de Sn se convierten en un dopante efectivo. Se obtuvo una resistencia de lámina óptima de 336 Ω/sqr para películas ITO ultrafinas a 400°C con una transmitancia óptica media de 86,8 para aplicaciones de sensores táctiles.
Esta es una versión de prueba de citación de documentos de la Biblioteca Virtual Pro. Puede contener errores. Lo invitamos a consultar los manuales de citación de las respectivas fuentes.
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