Resumen

Se introdujeron películas finas de AlOx a base de acetilacetonato de aluminio como capas de pasivación de bajo coste y alta calidad para células solares de silicio cristalino. Las películas se formaron mediante un método de recubrimiento por rotación sobre sustratos de silicio tipo p a 450°C en aire ambiente, O2 o vapor de agua (H2O/O2) durante 15 o 120 min. El análisis XPS confirma la formación de AlOx y revela una alta intensidad de SiOx interfacial en la interfaz AlOx/Si de las obleas procesadas. Se observó que el H2O/O2 a temperatura ambiente era más beneficioso para la activación de las películas de pasivación de AlOx introducidas, ya que ofrece mejoras de vida útil elevadas con un bajo presupuesto térmico. Las mediciones de la vida útil de los portadores indican que las obleas recubiertas simétricamente alcanzan 119,3 μs y 248,3 μs tras el recocido en H2O/O2 ambiente durante 15 min y 120 min, respectivamente.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Nanoestructuras Energía limpia Efecto fotoeléctrico
• Subjects:Solar energy Photochemistry Nanostructures Clean energy Photoelectric effect
• Palabras claves:min, películas de pasivación alox, mediciones del tiempo de vida del portador, mejoras del tiempo de vida elevado, bajo presupuesto térmico, capas de pasivación de calidad, método de revestimiento por rotación, sustratos de silicio tipo, alox, obleas
• Keywords:min, alox passivation films, carrier lifetime measurements, high lifetime improvements, low thermal budget, quality passivation layers, spin coating method, type silicon substrates, alox, wafers