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Effect of Zn Site for Ca Substitution on Optical and Microwave Dielectric Properties of ZnAl 2O 4 Thin Films by Sol Gel MethodEfecto del sitio de Zn para la sustitución de Ca en las propiedades dieléctricas ópticas y de microondas de las películas delgadas de ZnAl 2O 4 por el método de gel de sol

Resumen

Se prepararon películas delgadas de Ca x Zn ( 1 - x ) Al 2 O 4 ( x = 0,00, 0,05, 0,10, 0,15, 0,20, 0,25 y 0,30) mediante un método de sol gel. Los patrones de DRX mostraron los picos característicos del (Ca/Zn)Al2O4 con el patrón estándar del cúbico centrado en la cara (fcc). La adición de Ca disminuyó la constante de red de 14,6 nm a 23,2 nm. El bandgap óptico de la película delgada no dopada se encontró en 3,84 eV mientras que para el Ca dopado se observó en 3,50 a 3,73 eV. La sustitución de Zn2 por Ca2 en las películas delgadas de ZnAl2O4 aumentó el tamaño de los cristalitos, el tamaño del grano y la morfología de la superficie, lo que evidentemente afecta a la densidad y a la constante dieléctrica. Las películas delgadas de Ca x Zn 1 - x Al 2 O 4 se caracterizaron a una frecuencia de 20 a 1 MHZ para determinar la constante dieléctrica ε r y el factor de calidad sin carga Q u utilizando un espectrómetro LCR. Se puede observar que el espécimen que utiliza Ca0,25Zn0,75Al2O4 posee ε r ~ 10,41 y Q u ~ 5770, lo que se sugiere como material candidato para aplicaciones de ondas milimétricas. Por lo tanto, se sugiere esta cerámica como material candidato para antenas de parche de GPS.

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