Resumen

Los efectos de la ingeniería de la pila de compuertas y el tratamiento térmico en las propiedades eléctricas e interfaciales de los capacitores metal-aislante-semiconductor (MIS) Ti/Pt/HfO/InAs fueron evaluados sistemáticamente en términos de microscopía electrónica de transmisión, espectroscopía de rayos X por dispersión de energía, caracterizaciones corriente-voltaje y capacitancia-voltaje. Un metal Pt de 10 nm de espesor suprime efectivamente la formación de óxido interfacial, TiO, entre la compuerta de Ti y la capa dieléctrica de compuerta de HfO, mejorando la modulación de la compuerta en el potencial de superficie del InAs. Una deposición de HfO sobre el canal de InAs con una capa interfacial (IL) de una monocapa de InP seguida de un recocido post-metal a 300°C produce una interfaz HfO/InAs de alta calidad y desvela el molesto anclaje del nivel

• Materias:Transferencia de energía Ingeniería de apilamiento Circuito oscilador Modelo analítico Inductores
• Subjects:Energy transfer Stacking engineering Oscillator circuit Analytical model Inductors
• Palabras claves:Ingeniería de pilas de compuerta; Tratamiento térmico; Ti/Pt/HfO/InAs; Capacitores metal-aislante-semiconductor; Propiedades interfaciales; Propiedades eléctricas
• Keywords:Gate stack engineering; Thermal treatment; Ti/Pt/HfO/InAs; Metal insulator semiconductor capacitors; Interfacial properties; Electrical properties