Resumen

Se investigó el efecto de las nanoestructuras de ZnO en la potencia de salida de luz de los diodos emisores de luz ultravioleta cercana (NUV-LED) de 375 nm comparando nanorods unidimensionales (1D) (NR-ZnO) con nanohojas bidimensionales (2D) (NS-ZnO). Las nanoestructuras de ZnO se hicieron crecer sobre un óxido de indio y estaño (ITO) planar mediante un método basado en soluciones a una temperatura baja de 90°C sin degradación del voltaje de avance. A una corriente de inyección de 100 mA, la eficiencia de salida de luz de los NUV-LED con NR-ZnO mejoró en torno a un 30 % en comparación con los NUV-LED convencionales sin nanoestructuras de ZnO. Esta mejora se debe a la formación de una superficie texturizada, que da lugar a un cono de escape mayor y a una dispersión múltiple de los fotones en el NUV-LED, mientras que la eficiencia de salida de luz del NUV-LED con NS-ZnO fue inferior a la de los NUV-LED convencionales debido a la reflexión interna y a la absorción de luz en los sitios defectuosos del NS-ZnO.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanofibras
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanofibers
• Palabras claves:eficacia luminosa, nanoestructuras zno, nuv, zno, led, leds, nuv convencional, óxido de indio y estaño planar, cono de escape mayor, potencia luminosa
• Keywords:light output efficiency, zno nanostructures, nuv, zno, led, leds, conventional nuv, planar indium tin oxide, larger escape cone, light output power