Resumen

Investigamos la dispersión Raman de las películas de AlN preparadas por deposición de láser pulsado. El espectro Raman y los patrones de difracción de rayos X (XRD) de las películas de AlN se compararon para averiguar la influencia de la textura cristalina en la dispersión Raman. Los modos de dispersión (high) y (TO) fueron observados en los espectros Raman. Los resultados muestran que la orientación y la calidad cristalina de las películas de AlN tienen un gran impacto en estos modos de dispersión Raman. El deterioro de la orientación (002) y la aparición de otras orientaciones en los patrones de XRD conducen a la debilitación del modo (high) y al fortalecimiento del modo (TO) en el espectro Raman. Además, el pico (high) se ensancha con el aumento de la anchura de la curva de balanceo de rayos X. El ensanchamiento de los picos Raman puede estar asociado con la degeneración en la calidad cristalina. Además, al combinar el desplazamiento de energía del modo (high) con la tensión residual medida en las películas, el factor de estrés Raman de las películas de AlN preparadas por deposición de láser pulsado es de 4.45 cm/GPa para el modo (high).

• Materias:Ionización Espectrofotometría Fluidos de perforación Análisis fluorimétrico Farmacocinética metabolómica
• Subjects:Ionization Spectrophotometry Drilling fluids Fluorimetric analysis Metabolomic pharmacokinetics
• Palabras claves:Investigar; Dispersión Raman; Películas de AlN; Textura cristalina; Orientación; Calidad cristalina
• Keywords:Investigate; Raman scattering; AlN films; Crystal texture; Orientation; Crystal quality