Resumen

Se simularon las distribuciones de Fe utilizando el simulador de impureza-eficacia para el análisis del gettering por difusión de fósforo y se confirmaron las dependencias del tiempo de vida de los electrones de las distintas condiciones de gettering. Se observó que los átomos de hierro de la oblea de Si podían getterizarse de forma más eficiente si las temperaturas se suministraban a la oblea en dos pasos diferentes. Ese proceso de gettering en dos pasos se aplicó a una oblea de Si de grado metalúrgico mejorado (UMG), y los tiempos de vida de los electrones de la oblea UMG-Si fueron de 3 μseg aplicando el segundo perfil de temperatura a 600°C durante 420 min. También se confirmó que la eficiencia de la célula solar UMG-Si aumentó 0,53 ue al proceso de gettering en dos pasos.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:oblea si, umg, gettering por difusión de fósforo, segundo perfil de temperatura, proceso, paso, distribuciones de fe, diferentes pasos, simulador de eficiencia, vida útil de los electrones
• Keywords:si wafer, umg, phosphorus diffusion gettering, second temperature profile, process, step, fe distributions, different steps, efficiency simulator, electron lifetime