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Pressure and Temperature Effects on Stoichiometry and Microstructure of Nitrogen-Rich TiN Thin Films Synthesized via Reactive Magnetron DC-SputteringEfectos de la presión y la temperatura en la estequiometría y la microestructura de las películas finas de TiN ricas en nitrógeno sintetizadas mediante DC-sputtering con magnetrón reactivo

Resumen

Se produjeron películas finas de nitruro de titanio (TiN) ricas en nitrógeno con un exceso de nitrógeno de hasta el 87,0 % en sustratos de (100) Si mediante pulverización catódica reactiva por magnetrón de un blanco comercial de Ti puro al 99,995 % en una atmósfera de argón-nitrógeno (Ar-N2) con una proporción de gas de 20 a 1. La presión del proceso (PP) y la temperatura del sustrato (TS) a las que se produjo la deposición variaron sistemáticamente entre 0,26 Pa-1,60 Pa y entre 15,0∘C-6,0∘C. La presión del proceso (PP) y la temperatura del sustrato (TS) a las que se produjo la deposición variaron sistemáticamente entre 0,26 Pa-1,60 Pa y entre 15,0∘C-600∘C, respectivamente, y sus efectos sobre la composición química, la morfología de la superficie y la orientación preferente se caracterizaron mediante espectroscopia de dispersión de energía de rayos X (EDS), microscopia electrónica de barrido de emisión de campo (FE-SEM) y difracción de rayos X (XRD). El análisis EDS confirma el aumento del contenido de nitrógeno con el aumento de PP y TS. Las imágenes SEM revelan una morfología superficial uniforme y cristalizada, así como una morfología de sección transversal muy compacta para todas las películas cristalinas y una morfología de sección transversal poco compacta para las películas amorfas. Las películas producidas con PP y TS inferiores presentan una morfología superficial piramidal que pasa a una estructura columnar y estratificada a medida que aumentan la PP y la TS. El análisis XRD confirma la existencia únicamente de la fase δ-TiN y la ausencia de otros nitruros, óxidos y/o sillicidas en todos los casos. También indica que a menor PP y TS, la orientación preferida con respecto al sustrato es a lo largo de los planos (111), y que transiciona a una orientación aleatoria a lo largo de los planos (200), (220) y (311) a medida que aumentan la PP y la TS, y estos resultados se correlacionan con los observados por SEM y los matizan.

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