Las películas delgadas de cobre, zinc y estaño (CZTS) se han estudiado ampliamente en los últimos años por sus ventajas de bajo coste, alto coeficiente de absorción (≥104 cm-1), brecha de banda adecuada (~1,5 eV) y no toxicidad. Las películas delgadas de CZTS son materiales prometedores para células solares como las de seleniuro de cobre, indio y galio (CIGS). En este trabajo, se prepararon películas delgadas de CZTS sobre sustratos de vidrio mediante evaporación al vacío y método de sulfurización. Los precursores de Sn/Cu/ZnS (CZT) se depositaron por evaporación térmica y luego se sulfuraron en atmósfera de N2 H2S a temperaturas de 360-560°C para producir películas delgadas policristalinas de CZTS. Se observa que hay algunas fases de impureza en las películas delgadas con la temperatura de sulfuración inferior a 500°C, y el tamaño de los cristalitos de CZTS es bastante pequeño. Con el aumento de la temperatura de sulfuración, las películas delgadas obtenidas muestran una orientación preferente (112) con un mayor tamaño de cristalito y una mayor densidad. Cuando la temperatura de sulfuración es de 500°C, la energía de banda prohibida, la resistividad, la concentración de portadores y la movilidad de las películas delgadas de CZTS son de 1,49 eV, 9,37 Ω - cm, 1,714×1017 cm-3 y 3,89 cm2/(V - s), respectivamente. Por lo tanto, las películas delgadas CZTS preparadas son adecuadas para absorbedores de células solares.
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