Resumen

En este estudio se ha investigado el efecto de la temperatura en los transistores de película fina (TFT) amorfos de óxido de indio, galio y zinc (a-IGZO) utilizando óxido de hafnio (HfO2) como material dieléctrico de puerta. El HfO2 es un candidato atractivo como material dieléctrico de altoκ para el óxido de puerta porque tiene un gran potencial para exhibir propiedades eléctricas superiores con una alta corriente de accionamiento. En el proceso de integración del dieléctrico de puerta y la película delgada de IGZO, el tratamiento posterior al recocido es un proceso esencial para completar la reacción química de la película delgada de IGZO y mejorar la calidad del óxido de puerta para ajustar las características eléctricas de los TFT. Sin embargo, el átomo de hafnio difunde la película delgada de IGZO, causando rugosidades en la interfaz debido a la estabilidad de la película delgada dieléctrica de HfO2 durante el recocido a alta temperatura. En este estudio, se optimizó la temperatura de recocido a 200°C para obtener un TFT dieléctrico de puerta de HfO2 que presentaba una alta movilidad, una elevada relación I O N / I O F F, una baja corriente I O F F y un excelente balanceo subumbral (SS).

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanomaterials Nanosensors
• Palabras claves:película delgada, igzo, tft dieléctrico de compuerta hfo2, óxido de indio galio zinc amorfo, corriente f f, relación f f, película delgada dieléctrica, excelente oscilación subumbral, material dieléctrico de compuerta, calidad del óxido de compuerta
• Keywords:thin film, igzo, hfo2 gate dielectric tft, amorphous indium gallium zinc oxide, f f current, f f ratio, dielectric thin film, excellent subthreshold swing, gate dielectric material, gate oxide quality