Resumen

Las capas absorbentes de Cu2ZnSnS4 (CZTS) crecidas por pulverización catódica se investigaron mediante fotoluminiscencia antes y después de la deposición en baño químico de CdS con el fin de evaluar la posible pasivación de defectos puntuales por átomos de Cd en la interfase capa absorbente/tapón. De acuerdo con la bibliografía, se observó una emisión amplia en torno a 1,21 eV a baja temperatura bajo excitación por encima de la banda de transición de las muestras de CZTS crecidas. Se detectaron por primera vez bandas anchas a 1,075 eV y 0,85 eV bajo excitación por debajo del bandgap de las muestras de CZTS crecidas a baja temperatura, que se explicaron en términos de transiciones radiativas que implican niveles relacionados con defectos puntuales determinados en la bibliografía mediante cálculos de primeros principios. Las emisiones observadas en las muestras crecidas se controlaron mediante excitaciones por encima y por debajo de la banda prohibida también en células solares CZTS estándar producidas en las mismas capas. Los resultados obtenidos sugieren que, al igual que en el caso del Cu(In, Ga)Se2, los átomos de Cd pasivan defectos puntuales en la interfase capa absorbente/tapón también en CZTS.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Electrodos Nanoestructuras Biopelículas
• Subjects:Solar energy Photochemistry Electrodes Nanostructures Biofilms
• Palabras claves:interfaz de capa tampón, muestras de czts, átomos de cd, excitación de banda prohibida, baja temperatura, deposición en baño químico, pasivado de defectos puntuales, czts, absorbedor, bibliografía
• Keywords:buffer layer interface, czts samples, cd atoms, bandgap excitation, low temperature, chemical bath deposition, passivate point defects, czts, absorber, literature