Resumen

Se prepararon películas delgadas de óxido de indio (ITO) dopadas con estaño mediante la técnica de recubrimiento por inmersión sol-gel utilizando sales metálicas de bajo coste y disolventes orgánicos. Las películas recubiertas se trataron sin recocido o se recocieron a 400°C y 600°C en una atmósfera de mezclas de 3% H2/97% N2. Se investigaron en detalle la microestructura y las propiedades ópticas y eléctricas de las películas ITO preparadas. La transmitancia máxima en el rango visible (380-780 nm) es del 85,6%, y la mejor resistividad es de 5×10-2 Ω-cm cuando se recuece a 600°C en una atmósfera de mezclas de H2/97% N2. Se comprueba que las propiedades ópticas y eléctricas de las películas de ITO preparadas están fuertemente relacionadas con la variación de la microestructura. Los compuestos orgánicos no pudieron ser eliminados completamente, y las películas delgadas de ITO preparadas no fueron densas cuando la película de ITO preparada fue recocida a 600°C en una atmósfera de mezclas de H2/97% N2, causando la pobre conductividad.

• Materias:Sistema cuántico Masa (Física) fotoelectrones Iones Reacciones Nucleares
• Subjects:Quantum system Mass (Physical) photoelectrons Ions Nuclear Reactions
• Palabras claves:película de ito preparada, atmósfera de mezcla de n2, película fina, propiedad eléctrica, h2/97, óxido de indio dopado, sal metálica de coste, disolvente orgánico, mejor resistividad, inmersión en gel
• Keywords:prepared ito film, n2 mixture atmosphere, thin film, electrical property, h2/97, doped indium oxide, cost metal salt, organic solvent, best resistivity, gel dip