Resumen

En esta investigación, estudiamos los efectos de los elementos parásitos fraccionarios en la dinámica del memristor, considerando tanto los memristores controlados por flujo como los controlados por carga. Para ello, se ha utilizado el enfoque basado en ecuaciones diferenciales fraccionarias para modelar el memristor y los circuitos basados en memristores bajo los efectos de los elementos parásitos fraccionarios, donde las ecuaciones resultantes se han resuelto tanto analítica como numéricamente. A partir de las soluciones obtenidas y las simulaciones, se han estudiado los efectos de los elementos fraccionarios parásitos en la dinámica del memristor. Hemos encontrado que los elementos parásitos fraccionarios causan el decaimiento de la carga y el flujo del memristor de forma similar a los elementos parásitos convencionales. Además, los puntos de estancamiento de los retratos de fase entre el flujo y la carga de los circuitos basados en memristores también pueden romperse por los elementos parásitos fraccionarios. También se han estudiado los efectos del orden y la no linealidad de los elementos parásitos fraccionarios.

• Materias:Ingeniería electrónica Redes Inalámbricas Arquitectura informática Sistemas de comunicación Informática Procesamiento de datos
• Subjects:Electronic engineering Wireless Networks Computer architecture Communication systems Computing Data processing
• Palabras claves:elementos parásitos fraccionarios, memristor, efectos, carga, elementos parásitos convencionales, ecuación diferencial fraccionaria, circuitos, dinámica, decaimiento del flujo, puntos muertos
• Keywords:parasitic fractional elements, memristor, effects, charge, conventional parasitic elements, fractional differential equation, circuits, dynamic, flux decay, impasse points