Resumen

Se han estudiado mediante primeros principios las propiedades estructurales, de estabilidad, termodinámicas, mecánicas y electrónicas del Y y el Sb dopados en Mg2Si. Los resultados muestran que las estructuras estables son Mg7Si4Y, Mg8Si4Sb, Mg6Si4YSb y Mg7Si4YSb. Mg8Si4Sb tiene la mayor ductilidad entre ellas. El dopaje con Y provoca una fuerte hibridación orbital entre el Mg (2p) y el Y (4d), mientras que el dopaje con Sb provoca una fuerte hibridación orbital entre el Mg (2p), el Si (3p) y el Sb (5p). Sin embargo, la conductividad térmica y la dureza del Mg2Si se verán reducidas por el dopaje con Y y Sb. La conductividad de Mg8Si4Sb es la mejor. La anisotropía de las superficies {100}, {010} y {001} aumentará una vez dopadas con Y o Sb. Mg8Si4Sb tiene el mayor grado de anisotropía.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Bioingeniería Nanocompuestos Nanotubos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Bioengineering Nanocomposites Nanotubes
• Palabras claves:hibridación orbital fuerte, mg8si4sb, dopaje sb, mg2si, anisotropía, dopaje y, propiedades electrónicas, primeros principios, mayor grado, mayor ductilidad
• Keywords:strong orbital hybridization, mg8si4sb, sb doping, mg2si, anisotropy, y doping, electronic properties, first principles, highest degree, largest ductility