Resumen

La estructura óptima del emisor p para la célula solar de silicio de tipo n se determinó con la simulación de la concentración de dopaje de boro. La concentración de boro (NB) en el emisor p se varió en el rango de 1×1017 y 2×1022 átomos/cm3 manteniendo la concentración de dopaje base en 2×1016 átomos/cm3. Con el aumento de la concentración de boro, el voltaje en circuito abierto (VOC) de la célula aumentó hasta 0,525 V y luego quedó casi saturado a NB>5×1018 átomos/cm3. Por otro lado, la densidad de corriente de cortocircuito (JSC) empezó a disminuir a NB>1×1019 átomos/cm3 debido al aumento de la pérdida por recombinación en la superficie, y sin tener en cuenta la variación de la resistencia de contacto a lo largo del nivel de dopaje del emisor, la eficiencia máxima de la célula se obtuvo en torno a NB=5×1018 átomos/cm3. Mientras que la resistencia de contacto del electrodo disminuye con el aumento de la concentración de dopaje en el emisor p, y teniendo en cuenta la variación de la resistencia de contacto, el valor óptimo de NB para la máxima eficiencia se desplazó hacia el nivel de dopaje más alto.

• Materias:Corrosión del acero Aceites y grasas Polimeros Acero Acero inoxidable Descarga eléctrica microfluidos
• Subjects:Corrosion of steel Oils and fats Polymers Steel Stainless steel Electric shock microfluids
• Palabras claves:resistencia de contacto, átomo, cm3, eficacia máxima, concentración de boro, emisor, tensión en circuito abierto, concentración, aumento, valor de nb
• Keywords:contact resistance, atom, cm3, maximum efficiency, boron concentration, emitter, open circuit voltage, concentration, increase, value of nb