Resumen

Se han diseñado y optimizado células solares de banda intermedia basadas en puntos cuánticos In0.53Ga0.47As/GaAs (QDIBSCs) para la próxima generación de tecnología fotovoltaica. Se ha analizado el comportamiento ondulatorio de los portadores de carga en el interior del punto y su barrera con diferentes tamaños de punto y espaciado entre puntos. Se han evaluado las características del dispositivo, como la densidad de corriente de cortocircuito, Jsc, la tensión de circuito abierto, Voc, y la eficiencia de conversión, η. Basándose en el comportamiento de la función de onda de los electrones, se observa que la variación del espaciado entre puntos conduce a un cambio en la anchura del IB y en la densidad de estados, mientras que la variación del tamaño de los puntos conduce a la formación de un segundo IB. Para un espaciado de puntos fijo, dos rangos de tamaños de puntos varían el número de IBs en In0.53Ga0.47As/GaAs QDIBSC. Los puntos más pequeños, de un tamaño comprendido entre 2 nm y 5 nm, forman un único IB, mientras que los puntos más grandes, de un tamaño comprendido entre 6 nm y 9 nm, pueden producir 2 IB. La eficiencia de 2 IBs cercana a 1 IB sugiere que la formación de múltiples IBs puede posiblemente mejorar la eficiencia del dispositivo.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Efecto fotoeléctrico
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Photoelectric effect
• Palabras claves:ibs, tamaño, tecnología fotovoltaica de próxima generación, diferentes tamaños de punto, función de onda de electrones, espaciado fijo entre puntos, tensión de circuito abierto, in0.53ga0.47as, formación, gaas qdibsc
• Keywords:ibs, size, next generation photovoltaic technology, different dot sizes, electron wave function, fixed dot spacing, open circuit voltage, in0.53ga0.47as, formation, gaas qdibsc