El óxido de zinc transparente conductor dopado con molibdeno (MZO) se depositó sobre un sustrato flexible de polietersulfona (PES) utilizando un sistema de pulverización con haz de iones. Se utilizó un haz de iones de argón para pulverizar un blanco de MZO a una presión constante de 0,67 Pa y una temperatura del sustrato de 130∘C, variando el caudal de oxígeno de 0 a 12 sccm. Se investigaron las influencias del flujo adicional de oxígeno sobre la microestructura y las propiedades ópticas y eléctricas de las películas. Las películas MZO obtenidas presentan una estructura cristalina. Al aumentar la tasa de flujo de oxígeno, aumenta su resistividad eléctrica, y la brecha de banda óptica disminuye de 3,46 a 3,20 eV. La película depositada en atmósfera sin introducir oxígeno presenta la mejor transmitancia óptica de 82,9
t 550 nm, una resistividad eléctrica de 8,32 × 10-3 Ω cm, una concentración de portadores de 6,82 × 1020 cm-3 y una movilidad de portadores de 2,45 cm2/Vs.
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