Biblioteca122.294 documentos en línea

Artículo

Effects of Hydrogen on the Optical and Electrical Characteristics of the Sputter-Deposited Al2O3-Doped ZnO Thin FilmsEfectos del hidrógeno en las características ópticas y eléctricas de las películas delgadas de ZnO dopadas con Al2O3 depositadas por pulverización catódica

Resumen

En este estudio, se depositaron películas delgadas de AZO sobre vidrio utilizando un blanco cerámico de 98 mol% ZnO 1 mol l2O3 (AZO, Zn : Al = 98 : 2) y un sistema de sputtering por magnetrón r.f.. En primer lugar, se investigaron los efectos de diferentes tasas de flujo de H2 (H2/(H2 Ar) = 0%~9,09%, abreviado como películas delgadas AZO depositadas con H2, la temperatura de deposición fue de 200°C) añadidas durante el proceso de deposición sobre las propiedades físicas y eléctricas de las películas delgadas AZO. La transmitancia óptica a 400 nm~700 nm es superior a 80 en todas las películas delgadas AZO, independientemente del caudal de H2, y la relación de transparencia disminuye a medida que aumenta el caudal de H2. El efecto de desplazamiento de Burstein-Moss se utilizó para demostrar que los defectos de las películas delgadas de AZO disminuían al aumentar el caudal de H2. Además, las películas delgadas AZO depositadas al 2% de H2 también fueron tratadas por plasma de H2 a temperatura ambiente durante 60 minutos (películas delgadas AZO tratadas con plasma). Las variaciones en los valores de la separación de banda óptica ( E g ) de las películas delgadas de AZO depositadas con H2 y tratadas con plasma se evaluaron a partir de los gráficos de α h ν 2 = c ( h ν - E g ) , y los valores de E g aumentaron con el aumento del caudal de H2. Los valores de E g también aumentaron a medida que se utilizó el proceso H2-plasma para tratar sobre las películas delgadas de Al2O3-dopado con ZnO (AZO) depositadas con H2.

  • Tipo de documento:
  • Formato:pdf
  • Idioma:Inglés
  • Tamaño: Kb

Cómo citar el documento

Esta es una versión de prueba de citación de documentos de la Biblioteca Virtual Pro. Puede contener errores. Lo invitamos a consultar los manuales de citación de las respectivas fuentes.

Este contenido no est� disponible para su tipo de suscripci�n

Información del documento