Resumen

Se describe el crecimiento directo de conjuntos de nanotubos de carbono (CNT) sobre sustrato de silicio mediante deposición química en fase vapor (CVD). Los resultados experimentales muestran que el grosor de la capa tampón tiene un efecto significativo sobre la morfología y los defectos de la matriz, y cuando la capa tampón es de unos 15 nm, se puede obtener la mejor matriz sobre el sustrato de silicio. Además, cuando el tiempo de crecimiento es inferior al tiempo umbral (70 minutos), la altura del conjunto aumenta con el incremento del tiempo. Es importante destacar que cuando el tiempo de crecimiento es superior a este umbral, el crecimiento de la matriz se detiene, pero cuando el crecimiento continúa, el carbono amorfo y el carbono pueden agruparse, lo que afectará a la estructura de la matriz. Estos resultados proporcionan una buena base material para la tecnología de dispositivos, térmica y de conductividad.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos Nanomateriales
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanotubes Nanomaterials
• Palabras claves:matriz, capa tampón, tiempo de crecimiento, sustrato de silicio, tiempo umbral, deposición química de vapor, buena base material, crecimiento, crecimiento directo, resultados experimentales
• Keywords:array, buffer layer, growth time, silicon substrate, threshold time, chemical vapor deposition, good material basis, growth, direct growth, experimental results