Resumen

Se investigan los efectos de la irradiación por dosis total de ionización en los MOSFETs difundidos verticales de Si (VDMOSs) con diferentes dieléctricos de compuerta, incluida una capa de SiO única y una capa doble de SiN/SiO. La captura de huecos inducida por radiación es mayor para la capa de SiO única que para la capa doble de SiN/SiO. También se estudian los efectos de la TID dependientes de la temperatura de oxidación dieléctrica. El desplazamiento negativo de la tensión umbral inducido por la captura de huecos es menor para SiO a una temperatura de oxidación más baja. El sesgo de compuerta durante la irradiación conduce a un desplazamiento diferente para diferentes dieléctricos de compuerta. La capa de SiO única muestra el peor desplazamiento negativo en , mientras que SiN/SiO doble muestra un desplazamiento negativo en , un desplazamiento positivo en y un desplazamiento insign

• Materias:Duplicador de voltaje Controlador de puerta Diseño de funciones Filtro de paso Amplificador de transconductancia
• Subjects:Voltage doubler Gate driver Function design Pass filter Transconductance amplifier
• Palabras claves:Dosis ionizante; Efectos de irradiación; Dieléctricos de compuerta; Atrapamiento; Cambio de voltaje umbral; Polarización de compuerta
• Keywords:Ionizing dose; Irradiation effects; Gate dielectrics; Trapping; Threshold voltage shift; Gate bias