Resumen

En este trabajo se describe la mejora eficaz de la emisión de luz del cristal de silicio mediante el recubrimiento de la superficie de silicio con una capa ultrafina (varios nm) de SiO2. La fotoluminiscencia de la emisión del borde de banda del Si (banda de 1,14 μm) a temperatura ambiente aumenta en dos órdenes de magnitud. En comparación con un diodo p-Si/n-Si, la emisión de luz de un diodo p-Si/SiO2/n-Si por inyección de corriente vía tunelización directa mejora en más de 3 órdenes de magnitud. La mejora de la emisión de luz se atribuye a la disminución de la recombinación sin radiación en la superficie/interfase y al confinamiento espacial de la recombinación de portadores. La estructura sencilla y la baja polarización de funcionamiento (aproximadamente 1 voltio) de nuestros diodos emisores de luz proporcionan una nueva opción para realizar fuentes de luz de inyección de corriente eficientes en silicio compatibles con la tecnología ULSI convencional.

• Materias:Propagación de ondas Rayo láser Onda electromagnética Óptica y fotónica Biofotónica
• Subjects:Wave propagation Lasers Electromagnetic waves Optics and photonics Biophotonics
• Palabras claves:Diodo de Si, emisión de luz, emisión de borde de banda de Si, fuente de luz de inyección de corriente eficiente, tecnología ULSI convencional, sesgo de funcionamiento bajo, magnitud, órdenes, recombinación de portadores, inyección de corriente.
• Keywords:Si diode, light emission, Si band edge emission, efficient current injection light source, conventional ULSI technology, low operating bias, magnitude, orders, carrier recombination, current injection