En este estudio, fabricamos resistencias de película fina utilizando objetivos de CuMn e itrio mediante cosputtering de magnetrón DC/RF. Se depositaron películas delgadas de CuMnY en sustratos de vidrio y Al2O3. Se investigaron las propiedades eléctricas y las microestructuras de las películas de aleación de CuMn con diferentes contenidos de itrio. Las películas de CuMnY se recocieron a una temperatura que oscilaba entre 250°C y 350°C en atmósfera de N2. La variación de fase, la microestructura, el grosor de la película y el análisis constitucional de las películas de CuMnY se caracterizaron mediante difracción de rayos X, escaneo de emisión de campo y microscopía electrónica de transmisión de alta resolución y los correspondientes análisis de dispersión de energía de rayos X (XRD, FESEM y HRTEM/EDX). Se descubrió que las películas de aleación CuMnY se separaban en dos partes después del recocido. La primera parte es la fase MnO en la parte inferior de la película. La segunda parte es una estructura amorfa en la parte superior de la película. La fase MnO es una microcristalina que existe en las películas de CuMn, que depende del contenido de Y y de la temperatura de recocido. Las películas de aleación de CuMn con un 15,7% de adición de itrio recocidas a 300°C mostraron una mayor resistividad ∼4000 μΩ-cm con -41 ppm/°C de coeficiente de resistencia de temperatura (TCR).
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