Resumen

La existencia de defectos extendidos (es decir, dislocaciones) en semiconductores inorgánicos, como GaN o ZnO, responsables de picos de emisión amplios en el análisis de fotoluminiscencia sigue sin resolverse. Las posibles asignaciones de estas bandas de luminiscencia siguen siendo objeto de debate. En este estudio, se presentan dos muestras diferentes de óxido de zinc, crecidas bajo diferentes presiones parciales de oxígeno y temperaturas de sustrato. Las propiedades epitaxiales y estructurales se analizaron mediante técnicas de difracción de rayos X y microscopía electrónica de transmisión. Éstas confirman que las capas son monofásicas con una buena calidad cristalina. No obstante, se observó una densidad diferente de dislocaciones de hilo, con una mayor contribución de las dislocaciones de borde. Se ha utilizado la espectroscopia de fotoluminiscencia para investigar las propiedades ópticas. Los espectros de luminiscencia en estado estacionario realizados a 14 K evidenciaron la recombinación de excitones ligados al donante y bandas de emisión verde y roja profundas. La banda roja, con un máximo a 1,78 eV, es más intensa en la muestra cultivada a menor presión de oxígeno, que también muestra una mayor densidad de dislocaciones enhebradas. A partir de la dependencia de la temperatura y la densidad de excitación de la banda roja, se propuso un modelo de recombinación de pares donante-aceptante, en el que las vacantes de hidrógeno y zinc son firmes candidatas a especies donante y aceptora, respectivamente.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Bioengineering Nanostructures Nanocomposites
• Palabras claves:banda roja, dislocaciones enhebradas, diferentes muestras de óxido de zinc, modelo de recombinación de pares donante-aceptante, espectros de luminiscencia en estado estacionario, técnicas de microscopía electrónica de transmisión, picos de emisión amplios, dependencia de la densidad de excitación, buena calidad cristalina, menor presión de oxígeno
• Keywords:red band, threading dislocations, different zinc oxide samples, donor acceptor pair recombination model, steady state luminescence spectra, transmission electron microscopy techniques, broad emission peaks, excitation density dependence, good crystalline quality, lower oxygen pressure