Se cultivaron monocristales de PbTe dopados con Au o Cu monovalentes mediante el método Bridgman. Se midieron los espectros de reflectividad en el infrarrojo lejano a temperatura ambiente para todas las muestras y se registraron los mínimos de plasma. Estos espectros experimentales se analizaron numéricamente y se calcularon los parámetros ópticos. Todas las muestras de PbTe dopadas con Au o Cu eran del tipo "n". Se analizaron las propiedades de estas composiciones y se compararon con el PbTe que contenía otros dopantes. Las muestras de PbTe dopadas con sólo 3,3 at
u fueron las mejores entre las muestras de PbTe Au teniendo la menor frecuencia de plasma y la mayor movilidad de portadores-electrones libres, mientras que el PbTe dopado con Cu fue lo contrario. Las muestras con la menor concentración de Cu, 0,23 en u, presentaron las mejores propiedades. También se investigaron la difusividad térmica y las propiedades de transporte electrónico de las mismas muestras dopadas con PbTe mediante un método fotoacústico (PA) con la configuración de detección por transmisión. Se compararon y discutieron los resultados obtenidos con el infrarrojo lejano y la caracterización fotoacústica de las muestras dopadas con PbTe. Ambos métodos confirmaron que cuando el PbTe estaba dopado con 3,3 at
u, las propiedades termoeléctricas y eléctricas de este semiconductor dopado mejoraban significativamente, por lo que el Au como dopante en PbTe podría utilizarse como un nuevo material termoeléctrico de alta calidad.
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