Se ha investigado la deposición electroquímica de zinc sobre monocristal de GaN(0001) tipo n a partir de una solución de sulfato mediante técnicas electroquímicas como la voltamperometría cíclica, la cronoamperometría y el diagrama de Tafel. La morfología y la estructura cristalina de los depósitos de zinc se han caracterizado mediante microscopía electrónica de barrido, difracción de rayos X y análisis de rayos X de energía dispersiva. Los resultados han revelado que la deposición de Zn sobre el electrodo de GaN comenzó a un potencial de -1,12 V frente a Ag/AgCl. Según el diagrama de Tafel, se calculó una densidad de corriente de intercambio de ~0,132 mA cm-2. Además, las medidas de transitorios de corriente han demostrado que el proceso de deposición de Zn siguió la nucleación instantánea en 10 mM ZnSO4 0,5 M Na2SO4 0,5 M H3BO3 (pH = 4).
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