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Electronic Properties of Boron and Silicon Doped (10, 0) Zigzag Single-Walled Carbon Nanotube upon Gas Molecular Adsorption: A DFT Comparative StudyElectronic Properties of Boron and Silicon Doped (10, 0) Zigzag Single-Walled Carbon Nanotube upon Gas Molecular Adsorption: Un estudio comparativo DFT

Resumen

Hemos realizado un estudio comparativo de las propiedades de adsorción de nueve moléculas de gas predominantes (H2, H2O, O2, CO, CO2, NO, NO2, NH3 y CH3OH) en la superficie superior del nanotubo de carbono prístino (C-CNT) de pared simple en zigzag (10, 0), el nanotubo de carbono dopado con boro (B-CNT) y el nanotubo de carbono dopado con silicio (Si-CNT) mediante cálculos de teoría del funcional de la densidad (DFT) para explotar sus aplicaciones potenciales como sensores de gas. Por primera vez, hemos calculado la posición de equilibrio óptima, la energía de absorción (Ead) y la densidad de estados (DOS) de las moléculas de gas consideradas adsorbidas en el extremo abierto del B-CNT y el Si-CNT de pared simple en zigzag (10, 0). Nuestros cálculos de primer principio demuestran que los materiales adsorbentes B-CNT y Si-CNT son capaces de adsorber las moléculas de gas consideradas con variedad de energía de adsorción y sus cambios drásticos de estructura electrónica en la densidad de estados cerca del nivel de Fermi. Los resultados de los estudios DFT comparativos obtenidos son útiles para diseñar materiales sensores de gas de alta fidelidad y adsorbentes selectivos para un sensor de gas selectivo.

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