Resumen

Se ha llevado a cabo una espectroscopia de fotoluminiscencia (PL) dependiente de la temperatura para sondear la recombinación radiativa y los procesos de emisión de luz relacionados en matrices bidimensionales periódicas de nanoporos en nitruro de galio (np-GaN). Las matrices se produjeron mediante nanopatterning no litográfico de wurtzita GaN seguido de un grabado en seco. Los resultados de la espectroscopia Raman apuntan a una pequeña relajación de la tensión de compresión de ~0,24 GPa en el GaN nanoporoso frente al GaN a granel. A ~300 K, la emisión PL está inducida por excitones y no por recombinaciones radiativas entre bandas de portadora libre. Se confirma que la evolución de los espectros de emisión con T es principalmente el resultado de un decaimiento de la emisión PL no excitónica y menos de desplazamientos espectrales de las bandas PL subyacentes. El cambio de régimen PL excitónico observado experimentalmente se analizó en el marco de la recombinación-generación de excitones. El estudio proporciona nuevos conocimientos sobre los comportamientos y mecanismos físicos que regulan los procesos de emisión de luz en np-GaN, fundamentales para el desarrollo de dispositivos nano-opto-electrónicos basados en GaN mesoscópico.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanocompuestos Nanofibras
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanocomposites Nanofibers
• Palabras claves:procesos de emisión de luz relacionados, punto de espectroscopia raman, régimen excitónico pl, procesos de emisión de luz, emisión no excitónica pl, gan, bandas pl, emisión pl, bulk gan., interbanda portadora
• Keywords:related light emission processes, raman spectroscopy point, excitonic pl regime, light emission processes, nonexcitonic pl emission, gan, pl bands, pl emission, bulk gan., carrier interband