Se han fabricado heterouniones ZnO/Si mediante la técnica de recubrimiento por espinamiento de nanoescamas de ZnO sobre silicio monocristalino tipo p. Se han registrado los espectros de fotoluminiscencia de heterouniones ZnO/Si crecidas y recocidas bajo excitación de 336 nm. Los espectros de fotoluminiscencia de las heterouniones ZnO/Si se han registrado bajo la excitación de 336 nm. Se han analizado multipicos entre ∼360 nm y ∼430 nm de heterouniones ZnO/Si recocidas, cuyos orígenes se han atribuido a los efectos de uno o múltiples fonones LO. Los efectos rectificadores pueden observarse en los dispositivos prototípicos basados en heterouniones ZnO/Si. Aunque los parámetros obtenidos mediante el análisis de las características de densidad de corriente-voltaje se alejan de los del dispositivo ideal, se cree que las heterouniones ZnO/Si del presente trabajo serán un candidato potencial en el campo optoelectrónico mediante la modulación y optimización de las condiciones de fabricación.
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