Resumen

Este trabajo trata sobre la evaluación del dieléctrico de compuerta para MOSFETs de 4H-SiC utilizando simulaciones numéricas bidimensionales basadas en tecnología. Se estudian los resultados para una variedad de candidatos de dieléctrico de compuerta con diferentes espesores utilizando el conocido modelo de túnel de Fowler-Nordheim. En comparación con el SiO convencional como dieléctrico de compuerta para MOSFETs de 4H-SiC, un dieléctrico de compuerta alto como el HfO reduce significativamente la cantidad de campo eléctrico en el dieléctrico de compuerta con igual espesor de dieléctrico de compuerta y, por lo tanto, la densidad de corriente total de compuerta. El dieléctrico de compuerta alto además reduce el desplazamiento en el voltaje de umbral con diferentes espesores dieléctricos, lo que conduce a un mejor margen de proceso y un comportamiento de dispositivo operativo estable. Para un espesor de dieléct

• Materias:Dispositivo SOI Método de control Puerta dieléctrica Picosegundos Corriente de drenaje
• Subjects:SOI device Control method Dielectric gate Picoseconds Drain current
• Palabras claves:Dieléctrico de compuerta; MOSFETs de 4H-SiC; Espesores; Modelo de túnel de Fowler-Nordheim; HfO; Voltaje umbral
• Keywords:Gate dielectric; 4H-SiC MOSFETs; Thicknesses; Fowler-Nordheim tunneling model; HfO; Threshold voltage