Los canales internos de nanotubos de carbono de pared simple semiconductores (SWCNTs) fueron llenados con cloruro de plata. El llenado fue confirmado mediante microscopía electrónica de transmisión de alta resolución. Se analizaron las modificaciones inducidas por el llenado en los modos Raman de los SWCNTs. El ajuste del modo de respiración radial (RBM) y las bandas G de los espectros Raman de los nanotubos prístinos y llenos con componentes individuales permitió analizar detalladamente la influencia del cloruro de plata encapsulado en las propiedades electrónicas de nanotubos de diferentes diámetros. El análisis de la banda RBM permitió revelar los cambios en las condiciones de excitación de resonancia de los SWCNTs al llenarlos. El análisis de la banda G permitió concluir sobre la -dopaje de los nanotubos por el cloruro de plata incorporado, acompañado de una transferencia de carga de los nanotubos a la sal insertada.
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