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Horizontal Assembly of Single Nanowire Diode Fabricated by p-n Junction GaN NW Grown by MOCVDEnsamblaje horizontal de un diodo de nanocable simple fabricado con NW de GaN de unión p-n crecido por MOCVD

Resumen

Se han sintetizado nanocables de nitruro de galio de unión uniaxial p-n mediante el método de deposición química de vapor metal-orgánico. Se observó que los nanocables preparados sobre sustratos de Si(111) crecían perpendicularmente al sustrato, y los estudios de microscopía electrónica de transmisión demostraron que los nanocables tenían estructuras monocristalinas con un eje de crecimiento <0001>. El ensamblaje paralelo del nanohilo de unión p-n se preparó sobre un sustrato de Si con una capa de SiO2 crecida térmicamente. Los estudios de transporte de las estructuras horizontales de nanocables de nitruro de galio ensambladas a partir de materiales de tipo p y n muestran que estas uniones corresponden a diodos de unión p-n bien definidos. Se fabricaron dispositivos de unión p-n basados en nanocables de GaN suspendidos sobre los electrodos y se investigaron sus propiedades eléctricas. Los diodos de nanocables de nitruro de galio ensamblados horizontalmente y suspendidos sobre los electrodos mostraron un aumento sustancial de la conductancia bajo exposición a luz UV. Además de la selectividad a diferentes longitudes de onda de la luz, también se ha obtenido una alta responsividad y un tiempo de respuesta extremadamente corto.

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