Resumen

Se investiga la escalabilidad del In2Se3, uno de los materiales de cambio de fase. Al depositar el material sobre un sustrato con nanopatrones, se confinan nanoclusters individuales de In2Se3 en fosas de tamaño nanométrico con forma y dimensión bien definidas, lo que permite el estudio sistemático del límite último de escalabilidad de su uso como elemento de memoria de cambio de fase. Se calienta In2Se3 de volumen progresivamente menor en el interior de un microscopio electrónico de transmisión que funciona en modo de difracción. El volumen en el que ya no puede observarse la transición amorfo-cristalino se considera el límite último de escalado, que es de aproximadamente 5 nm3 para el In2Se3. Se discute la física de la existencia del límite de escalado. Se cree que el uso de elementos de memoria de cambio de fase en la jerarquía de memoria reduce su consumo de energía porque consumen cero potencia de fuga en las células de memoria. Por lo tanto, las aplicaciones de memoria de cambio de fase son de gran importancia en términos de ahorro de energía.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Electrodos Nanoestructuras Biopelículas
• Subjects:Solar energy Photochemistry Electrodes Nanostructures Biofilms
• Palabras claves:límite último de escala, in2se3, elemento de memoria de cambio de fase, elementos de memoria de cambio de fase, nanoclusters individuales de in2se3, materiales de cambio de fase, microscopio electrónico de transmisión, transición cristalina, modo de difracción, consumo de energía
• Keywords:ultimate scaling limit, in2se3, phase change memory element, phase change memory elements, individual in2se3 nanoclusters, phase change materials, transmission electron microscope, crystalline transition, diffraction mode, energy consumption