Resumen

La brecha de banda, el tamaño de grano y la topografía de una célula solar de película delgada de Cu(In,Ga)Se2 (CIGSe) se analizan mediante técnicas de espectroscopia de fotovoltaje superficial (SPV) y microscopia de fuerza atómica (AFM). A partir del aumento pronunciado de la señal SPV se extrae la brecha de banda de las capas absorbente de CIGSe, In2S3 y ZnO, que resulta ser de 1,1, 1,3 y 2,6 eV, respectivamente. Ya por debajo de la brecha de banda de la capa de ZnO, se observa una ligera respuesta SPV a energías de fotones de 1,40 eV que indica la presencia de estados donantes profundos. El valor cuadrático medio (rms) de la rugosidad de la superficie es de 37,8 nm según los mapas topográficos de AFM. Los tamaños de grano son casi uniformes y menores de 1 μm.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Electrodos Nanoestructuras Biopelículas
• Subjects:Solar energy Photochemistry Electrodes Nanostructures Biofilms
• Palabras claves:band gap, mapas de topografía superficial afm, microscopía de fuerza atómica, estados donantes profundos, energías fotónicas ev, ligera respuesta spv, espectroscopía de fotovoltaje superficial, cigse, señal spv, capa zno
• Keywords:band gap, afm surface topography maps, atomic force microscopy, deep donor states, ev photon energies, slight spv response, surface photovoltage spectroscopy, cigse, spv signal, zno layer