Resumen

Demostramos los resultados de una evaluación de cepa (esfuerzo) obtenida a partir de mediciones de espectroscopía Raman con el método de superresolución (la llamada espectroscopía Raman de superresolución) para un sustrato de Si con una película de SiN con patrón (que sirve como muestra de Si tensionado). Para mejorar la resolución espacial de la espectroscopía Raman, utilizamos el método de superresolución y una lente de inmersión de alta apertura numérica. Además, estimamos la resolución espacial mediante un cálculo del modelo de fuerza de borde (EFM). Se obtuvieron distribuciones de esfuerzo de una y dos dimensiones en el sustrato de Si con la película de SiN con patrón mediante espectroscopía Raman de superresolución. Se compararon los resultados de la espectroscopía Raman de superresolución y el cálculo de EFM y se encontró que correlacionaban bien. La mejor resolución espacial, 70 nm, se logró mediante mediciones de espectroscopía Raman de superresolución con una lente de inmersión en aceite. Concluimos que la espectroscopía Raman de superresolución es un método útil para evaluar el esfuerzo en transistores miniaturizados de última generación, y creemos que el método de superresolución pronto será una técnica requerida.

• Materias:Ionización Espectrofotometría Fluidos de perforación Análisis fluorimétrico Farmacocinética metabolómica
• Subjects:Ionization Spectrophotometry Drilling fluids Fluorimetric analysis Metabolomic pharmacokinetics
• Palabras claves:Deformación; Evaluación; Espectroscopia Raman; Método de superresolución; Resolución espacial; Tensión.
• Keywords:Strain; Evaluation; Raman spectroscopy; Super-resolution method; Spatial resolution; Stress.