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La gran velocidad con que se vienen desarrollando los avances tecnológicos basados en descubrimientos científicos, ha permitido un nivel muy alto de almacenamiento y procesamiento de información en dispositivos que, cada vez, presentan menor tamaño. Sin embargo, esta carrera de miniaturización encuentra varios límites al llegar a la escala nanométrica, ya que la microelectrónica aún se basa en la manipulación de la carga electrónica. Estos límites, al contrario de lo que intuitivamente se pensaría, son ventajas para el mundo científico y abren caminos a descubrimientos y avances en la física teórica y experimental de la materia condensada. En este artículo se presenta una revisión de la nueva perspectiva que brinda la espintrónica, la cual propone un nuevo tratamiento de la información, basado en una propiedad mecanocuántica del electrón: su espín y el correspondiente momento magnético de espín.
INTRODUCCIÓN
Desde el nacimiento de la electrónica con la invención del diodo de vacío por parte de John Ambrose Fleming en 1904, y hasta la década del setenta del siglo pasado (Gref, 2010), los dispositivos se basaron en el transporte de energía e información por parte de los electrones, mediante la manipulación de niveles de voltaje, carga y corriente e ignorando por completo una propiedad intrínseca del electrón, llamada espín, ya que al encontrarse orientado aleatoriamente en los dispositivos convencionales, el bajo efecto sobre las propiedades físicas del material hace que su importancia sea apantallada, de modo que el efecto neto es nulo.
En este camino, la miniaturización dio un gran salto con la aparición de los dispositivos semiconductores, especialmente del transistor en 1948 (Okamura, 1995). A partir de allí se desarrollaron circuitos integrados en chips semiconductores, duplicando el número de transistores y resistencias por unidad de área cada 12-18 meses (tendencia predicha por Gordon E. Moore el 19 de abril de 1965). En los últimos años esta integración se ha aproximado al orden de los nanómetros; sin embargo, un transistor convencional no puede ser más pequeño que un átomo, lo que da un límite natural a la industria electrónica, además de las dificultades que introduce el efecto Joule al generar un calor intenso en los dispositivos, que afecta su estabilidad estructural y dificulta el control de las propiedades electrónicas (Shen, 2008).
Esta es una versión de prueba de citación de documentos de la Biblioteca Virtual Pro. Puede contener errores. Lo invitamos a consultar los manuales de citación de las respectivas fuentes.
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