Resumen

Este trabajo proyecta la fotoluminiscencia (PL) como técnica alternativa para estimar el orden de resistividad de películas delgadas de óxido de zinc (ZnO). Para este estudio se han utilizado películas delgadas de ZnO, depositadas mediante pirólisis química por pulverización (CSP) variando los parámetros de deposición como el disolvente, la velocidad de pulverización, el pH del precursor, etcétera. La variación en las condiciones de deposición tiene un tremendo impacto en las propiedades de luminiscencia, así como en la resistividad. En todas las muestras se registraron dos emisiones: la emisión cercana al borde de banda (NBE) a 380 nm y la emisión de nivel profundo (DLE) a ~500 nm, que compiten entre sí. Se observa que la relación entre las intensidades de DLE y NBE (IDLE/INBE) puede reducirse controlando la incorporación de oxígeno en la muestra. Las medidas I-V indican que restringiendo la incorporación de oxígeno se reduce considerablemente la resistividad. La variación de IDLE/INBE y resistividad para muestras preparadas bajo diferentes condiciones de deposición es de naturaleza similar. IDLE/INBE fue siempre menor que la resistividad en un orden para todas las muestras. Por lo tanto, a partir de las mediciones de PL solamente, se puede estimar el orden de resistividad de las muestras.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:resistividad, muestras, inactividad, inbe, orden, incorporación de oxígeno, películas delgadas, emisión cerca del borde de banda, pirólisis química por pulverización, emisión de nivel profundo
• Keywords:resistivity, samples, idle, inbe, order, oxygen incorporation, thin films, near band edge emission, chemical spray pyrolysis, deep level emission