Resumen

Se han depositado películas delgadas de óxido de silicio microcristalino de tipo N (n-μc-SiOx:H) mediante VHF-PECVD (40 MHz) con mezclas de gases reactantes de CO2/SiH4 y H2. Las películas delgadas de N-μc-SiOx, que presentan un bajo índice de refracción (n600 nm~2) y una conductividad media/alta (≧10-9 S/cm), son adecuadas para su uso como "reflector de tipo n" en células solares tándem micromorfas. Los resultados de microscopía electrónica de transmisión (TEM) muestran que las microestructuras de las películas delgadas n-μc-SiOx:H contienen partículas nanocristalinas de Si, que están incrustadas aleatoriamente en la matriz a-SiOx. Esta microestructura específica proporciona a las películas delgadas n-μc-SiOx:H excelentes propiedades optoelectrónicas; por tanto, las películas delgadas n-μc-SiOx:H son candidatas apropiadas para estructuras "reflectoras tipo n" en células solares tándem de Si.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:películas delgadas, siox, células solares, tipo reflector, bajo valor de índice de refracción, tipo óxido de silicio microcristalino, microscopía electrónica de transmisión, excelentes propiedades optoelectrónicas, partículas de si nanocristalino, mezclas de gases reactantes
• Keywords:thin films, siox, solar cells, type reflector, low refractive index value, type microcrystalline silicon oxide, transmission electron microscopy, excellent optoelectronic properties, nanocrystalline si particles, reactant gas mixtures