Resumen

Se estudió la hemocompatibilidad de las películas de TiO2 dopadas con La2O3 con diferentes concentraciones preparadas por sputtering de radiofrecuencia (RF). Las microestructuras y la compatibilidad sanguínea de las películas de TiO2 se investigaron mediante microscopía electrónica de barrido (SEM), espectroscopia de fotoelectrones de rayos X (XPS) y espectroscopia de absorción óptica UV-visible, respectivamente. Con el aumento de las concentraciones de La2O3, las películas de TiO2 se suavizan y el tamaño del grano se reduce. Mientras tanto, la brecha de banda de las muestras aumenta de 2,85 a 3,3 eV con el aumento del contenido de La2O3 en las películas de TiO2 de 0 a 3,64%. Las películas de TiO2 dopadas con La2O3 presentan propiedades semiconductoras de tipo n debido a la existencia de Ti2 y Ti3 . Se analizó y discutió el mecanismo de hemocompatibilidad de la película de TiO2 dopada con La2O3.

• Materias:Metales Ácido desoxirribonucleico (ADN) Acero inoxidable Nanocompuestos Cultivo Celular
• Subjects:Metals Deoxyribonucleic acid (DNA) Stainless steel Nanocomposites Cell Culture
• Palabras claves:película de tio2, película de tio2 dopada con la2o3, mecanismo de hemocompatibilidad, hemocompatibilidad del tio2, propiedad de semiconductor tipo, espectroscopia de fotoelectrones de rayos, compatibilidad del tio2, existencia del ti2, microscopia electrónica de barrido, espectroscopia de absorción óptica
• Keywords:tio2 film, la2o3-doped tio2 film, mechanism of hemocompatibility, hemocompatibility of tio2, type semiconductor property, ray photoelectron spectroscopy, compatibility of tio2, existence of ti2, scan electron microscopy, optical absorption spectroscopy