Se obtuvieron nanocristales de silicio incrustados en una matriz de silicio amorfo mediante deposición química en fase vapor potenciada por plasma utilizando diclorosilano como precursor de silicio. Se varió la potencia de RF y la relación de flujo entre diclorosilano e hidrógeno para obtener diferentes fracciones cristalinas y tamaños medios de nanocristales de silicio. Las imágenes de microscopía electrónica de transmisión de alta resolución y las mediciones RAMAN confirmaron la existencia de nanocristales incrustados en la matriz amorfa con tamaños medios entre 2 y 6 nm. Se pueden conseguir diferentes fracciones cristalinas (del 12% al 54%) en estas películas regulando los parámetros de crecimiento seleccionados. Las constantes ópticas globales de las películas se obtuvieron mediante medidas de transmitancia UV-visible. Las variaciones de la brecha de banda efectiva de 1,78 a 2,3 eV se confirmaron mediante el método del diagrama de Tauc. En estas láminas delgadas se obtuvieron coeficientes de absorción superiores a los del silicio amorfo estándar para determinados parámetros de crecimiento. La relación entre las propiedades ópticas se discute en términos de las diferentes nanoestructuras internas de las muestras.
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