Resumen

Los autores de esta investigación diseñaron dos nuevos semiconductores cuaternarios Cu₂ZnTiSe₄ y Cu₂ZnTiS₄ tipo I₂-II-IV-VI₄ y estudiaron sistemáticamente sus estructuras cristalina y electrónica empleando cálculos de primeros principios de estructura electrónica. Entre las estructuras cristalinas consideradas, se confirmó que las brechas energéticas (band gaps) de Cu₂ZnTiSe₄ y Cu₂ZnTiS₄ se originaban de la banda de valencia 3d de Cu totalmente ocupada y la banda conductora 3d de Ti; asimismo, la estructura de la kesterita debía estar en su estado fundamental.

• Materias:Ingeniería de la producción Materiales Semiconductores
• Subjects:Production engineering Materials Semiconductors
• Palabras claves:Ciencia de materiales, Semiconductores cuaternarios, CZTS, Kesterita, Estructura cristalina, Estructura electrónica, Brecha energética, Absorbedor de celda solar
• Keywords:Materials science, Quaternary semiconductors, CZTS, Kesterite, Crystal structure, Electronic structure, Energy gap, Solar cell absorber