Resumen

El reciente desarrollo de la litografía con microesferas dieléctricas ha abierto nuevas vías para realizar patrones sencillos y fáciles en las superficies de los semiconductores. En este trabajo se presentan matrices uniformes y de alta densidad de microesferas mediante un método de recubrimiento por rotación basado en una solución. Las matrices de microesferas se utilizaron como máscara de grabado para formar matrices de microrodos de nitruro III. Mediante el recrecimiento de la capa de GaN sobre las estructuras de microrodos, se consiguió una capa de GaN de alta calidad en términos de morfología superficial, así como de caracterización XRD. Para aprovechar sus ventajas, como la mejora de la calidad del cristal y de la extracción de luz, se cultivaron y fabricaron diodos emisores de luz (LED). Los LED con microesferas que se volvieron a cultivar mostraron una potencia óptica de salida y unas características de tensión directa mucho mejores con la misma inyección de corriente. Por lo tanto, creemos que este enfoque es muy útil para el desarrollo de LED de alta eficiencia para la iluminación del futuro.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Bioengineering Nanostructures Nanocomposites
• Palabras claves:microesferas, litografía de microesferas dieléctricas, características de tensión directa, leds de alta eficiencia, mejora de la extracción de luz, potencia óptica de salida, capa gan de calidad, inyección de la misma corriente, matrices, capa gan
• Keywords:microspheres, dielectric microsphere lithography, forward voltage characteristics, high efficiency leds, light extraction enhancement, optical output power, quality gan layer, same current injection, arrays, gan layer