Resumen

Se consiguió un fotodetector UV de silicio de alto rendimiento utilizando un híbrido de una película con nanocables. Se depositó óxido de indio-estaño (ITO) conductor de la electricidad y ópticamente transparente para formar una película de ITO o un nanocable (NW) de ITO sobre un sustrato de Si, dando lugar a una heterounión. El dispositivo de película de ITO es estable y presenta una baja corriente de fuga. Por su parte, los NW de ITO demostraron una excelente capacidad para recoger portadores fotogenerados. El fotodetector híbrido ITO (NWs sobre una película)/Si demuestra un rápido tiempo de reacción UV de 1,6 ms entre los fotodetectores basados en Si. Mediante la adopción de diseños funcionales podemos encontrar un medio de mejorar las capacidades de rendimiento fotoeléctrico de los dispositivos más allá de los límites del Si convencional. Además, el uso de un material homogéneo para la estructuración de películas y nanocables ofrecería una notable ventaja al reducir tanto el número de pasos de fabricación como el coste.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanocompuestos Nanofibras
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanocomposites Nanofibers
• Palabras claves:fotodetector uv de silicio de alto rendimiento, capacidad de rendimiento fotoeléctrico, ito, nanohilos, nws ito, película ito, nanohilos ito, sustrato si, si convencional, excelente capacidad
• Keywords:performance silicon uv photodetector, photoelectric performance capabilities, ito, nanowires, ito nws, ito film, ito nanowire, si substrate, conventional si, excellent capability