Se han estudiado las estructuras vacías y las propiedades ópticas relacionadas tras el recocido térmico con oxígeno ambiental en matrices de nanorredes (NR) de ZnO con patrones regulares cultivadas con el método hidrotérmico. Al aumentar la temperatura de recocido térmico, la distribución de huecos comienza desde la parte inferior y se extiende hasta la parte superior de un NR en la región de crecimiento vertical (eje c). Cuando la temperatura de recocido es superior a 400°C, la distribución de huecos se extiende a la región de crecimiento lateral (eje m). Las mediciones de fotoluminiscencia muestran que la emisión del borde de banda del ZnO, en contraste con la emisión de defectos en el rango amarillo-rojo, es la más intensa en las condiciones de proceso n-ZnO NR de 0,003 M en la concentración de dopaje de Ga y 300°C en la temperatura de recocido térmico con oxígeno ambiental. Los datos de espectroscopia de dispersión de energía de rayos X indican que la concentración de grupos hidroxilo en la región de crecimiento vertical es significativamente mayor que en la región de crecimiento lateral. Durante el recocido térmico, los grupos hidroxilo se desorben del NR dejando vacantes de aniones para reaccionar con vacantes de cationes y formar huecos.
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