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Ab Initio Study of Electronic Transport in Cubic-HfO2 Grain BoundariesEstudio Ab Initio del Transporte Electrónico en Límites de Grano Cúbicos de HfO2

Resumen

En los materiales policristalinos, los límites de grano (GB) son especialmente importantes, ya que pueden actuar como sumidero de defectos atómicos e impurezas, que pueden impulsar la transformación estructural de los materiales y, en consecuencia, modificar sus propiedades. Caracterizar la estructura y las propiedades de los GB es fundamental para comprender y controlar las propiedades de los materiales. Aquí investigamos cómo los GB pueden modificar las propiedades estructurales, electrónicas y de transporte del material policristalino HfO2. En general, se considera que los límites de grano son perjudiciales para la estabilidad física y el transporte electrónico en el HfO2. De todos modos, estudiando por primeros principios los dos tipos más estables y comunes de GBs, el de inclinación y el de torsión, encontramos diferencias sustanciales en el impacto que tienen sobre las propiedades del material. De hecho, mientras que los defectos de inclinación crean canales de diferentes tamaños y formas en hafnia a lo largo de los cuales el transporte electrónico es más fuerte en relación con la corriente de fuga a través de los GBs, los defectos de torsión crean una especie de estructura amorfa que tiende a parecerse al grueso y que es independiente del número de planos/átomos rotados.

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