Se estudió el silicio poroso luminiscente (Psi) fabricado mediante una sencilla técnica de grabado químico en diferentes disolventes orgánicos. Mediante la cuantificación de la pieza de oblea de silicio, se investigaron las propiedades ópticas del Psi en soluciones. La observación muestra que no se emite luz de fotoluminiscencia de Psi en todos los disolventes. La morfología de la Psi en diferentes disolventes indica que la estructura y la distribución de la Psi se observan de forma diferente. Las partículas se dispersan uniformemente con tamaños de más o menos 5-8 nm. El plano cristalográfico y la naturaleza altamente cristalina de la Psi se observan mediante difracción de área seleccionada (SED) y DRX. Las propiedades electrónicas de la Psi en soluciones se ven influidas por la variación de la cantidad de oblea y la naturaleza del disolvente. Se obtiene una influencia en las bandas de separación de la Psi calculada por el método de Tauc debido al cambio del borde de absorción de la Psi en los disolventes. Se observa que las intensidades de PL dependen de la cantidad de oblea de silicio y del área de la sección transversal grabada en la superficie de la oblea. Se observan efectos en los picos y bandas de emisión de Psi bajo temperatura de recocido. Las señales espontáneas de Psi medidas con una fuente láser de alta potencia Pico second de 355 nm son significativas y están influidas por la naturaleza del disolvente, la energía bombeada y la cantidad de oblea de silicio utilizada en el proceso de grabado.
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