Resumen

Este artículo presenta el comportamiento de varios dispositivos optoelectrónicos tras la irradiación gamma. Varios fotodiodos PIN, fototransistores y paneles solares han sido expuestos a la irradiación gamma. En el experimento se utilizaron varios tipos de fotodiodos y fototransistores. Se han medido las características I-V (dependencia de la corriente respecto a la tensión) de estos dispositivos antes y después de la irradiación. También se ha observado el proceso de recocido. Se ha realizado un análisis comparativo de los resultados de las mediciones para determinar la fiabilidad de los dispositivos optoelectrónicos en entornos de radiación.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:irradiación gamma, varios dispositivos optoelectrónicos, fototransistores, fotodiodos de patilla, varios tipos, características v, análisis comparativo, dependencia de la corriente, resultados de medición, dispositivos optoelectrónicos
• Keywords:gamma irradiation, various optoelectronic devices, phototransistors, pin photodiodes, several types, v characteristics, comparative analysis, current dependance, measurement results, optoelectronic devices