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Free-Electron Screening Mechanism of the Shallow Impurity Breakdown in n-GaAs: Evidences from the Photoelectric Zeeman and Cyclotron Resonance SpectroscopiesMecanismo de apantallamiento de electrones libres de la ruptura superficial de impurezas en n-GaAs: Evidencias de las Espectroscopias Fotoeléctricas Zeeman y de Resonancia de Ciclotrón

Resumen

Se sugiere un mecanismo de descomposición novedoso (BD) de impurezas superficiales (SI) bajo el campo eléctrico a bajas temperaturas para muestras con concentraciones de donantes y grado de compensación con aceptores de concentración en campos magnéticos externos de hasta , orientados de forma paralela o perpendicular al campo eléctrico externo. El diagnóstico del mecanismo BD se realizó mediante el efecto Zeeman de SI (principalmente desde el estado fundamental hasta y otros estados de excitación) y métodos de espectroscopía fotoeléctrica de resonancia ciclotrónica (PES) en un amplio intervalo de campo eléctrico, incluyendo la región BD también. Los resultados obtenidos revelan que el campo eléctrico de BD no se correlaciona con y la movilidad de los portadores de las muestras, lo cual contradice al conocido mecanismo de ionización por impacto (IIM). Una discrepancia seria con el IIM es que casi no depende del campo magnético hasta cuando a pesar de que la energía

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