Resumen

Se cultivaron barras de ZnO de alta calidad mediante la técnica de vapor-líquido-sólido (VLS) sobre un sustrato de 4H-p-SiC. Los mecanismos de transporte de corriente de los diodos a temperatura ambiente (TA) se han explicado en términos del modelo de corriente de carga espacial limitada basado en el diagrama de bandas de energía de la heteroestructura de barras de ZnO/4H-p-SiC. El mecanismo de tunelización a través de estados de nivel profundo resultó ser el principal proceso de conducción a bajo voltaje aplicado, pero a voltaje límite de llenado de trampas VTFL todas las trampas se llenan y la conducción de corriente espacio-carga-limitada domina el transporte de corriente. A partir de las medidas de tensión de corriente RT, la energía de la trampa de nivel profundo y la concentración de trampas se obtuvieron como ~0,24±0,02 eV y 4,4×1018cm-3, respectivamente. Los estados de nivel profundo observados corresponden al zinc intersticial (Zni ), responsable de la emisión violeta.

• Materias:Biotecnología Nanopartículas Nanocompuestos Nanotubos Análisis espectroquímico
• Subjects:Biotechnology Nanoparticles Nanocomposites Nanotubes Spectrochemical analysis
• Palabras claves:mecanismos de transporte de corriente, medidas de tensión de corriente, estados de nivel profundo, trampa de nivel profundo, diagrama de bandas de energía, tensión límite vtfl, proceso principal de conducción, calidad zno varillas, carga, espacio
• Keywords:current transport mechanisms, current voltage measurements, deep level states, deep level trap, energy band diagram, limit voltage vtfl, main conduction process, quality zno rods, charge, space